Producción
Nuestra planta proporciona láser de bombeo de 980 nm, una fuente de luz de banda ancha ASE y una mariposa de diodo láser. Nuestros productos se venden principalmente en el país y en el extranjero.
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Fuente de luz de banda ancha ASE 1030 nm
Box Optronics Fuente de luz de banda ancha ASE 1030 Nm se basa en el láser de bombeo de fibra y semiconductores de Itterbiev. El espectro de radiación cubre la longitud de onda de 1030 nm, proporcionando una alta capacidad de salida y un coeficiente de envenenamiento de polarización de hasta 0.2 dB. Se puede usar para probar dispositivos de fibra óptica, producción de rejillas VBR, etc.
808 nm 25 W 62.5 μm de diodo láser de fibra multimodona para una fuente de bombeo
Como fabricante profesional, Box Optronics le busca proporcionarle láser de alta calidad 808 NM 25 W 62.5 μm de diodo láser de fibra multimódica para la fuente de bombeo, sistemas de procesamiento de materiales, fuentes de bombeo y otras áreas de aplicación. Nuestro producto se caracteriza por alta fortaleza y cumple con los estándares internacionales. Si está interesado en este producto, contáctenos.
Diodo DFB-Laser infrarrojo de 1064 nm con una capacidad de 200 MW con enlaces de fibra
Box Optronics ofrece un diodo DFB-Laser infrarrojo de 1064 nm de alta calidad con una capacidad de 200 MW con enlaces de fibra en un caso BTF de 14 pines. Estos dispositivos proporcionan una potencia muy estable de hasta 200 MW en modo de radiación continua. Opcionalmente disponibles fibras ópticas de un solo módulo y modificado. Están equipados con carga termoeléctrica construida (estudio de factibilidad) y monitorean fotodiidas. Coeficiente de supresión del mod de lado> 40 dB. A menudo se usan en sistemas de detección óptica y como fuentes de semillas para láseres.
Diodo láser estrecho de 1550 nm 100 mW 100 kHz estrecho con una línea diferente
Box Optronics ofrece 1550 nm 100 mW 100 kHz un diodo láser estrecho con un dispositivo de línea de variedad en una caja BTF de 14 pines. Estos dispositivos proporcionan una potencia muy estable de hasta 100 MW en modo de radiación continua y ancho de línea<100 кГц. Опционально доступны одномодовые и одномодовые оптоволоконные пигтейлы. Они оснащены встроенными охладителями термоэлектрического конденсатора (ТЭО) и следящими фотодиодами (ФД). Коэффициент подавления боковых мод >40 dB. A menudo se usan en sensores ópticos y comunicación óptica.
Amiconductor Amplificador óptico SOA 1060 NM 25 dB
Se utiliza principalmente una serie de productos, amplificador óptico de semiconductores SOA 1060 nm 25 dB para mejorar la señal óptica y puede aumentar significativamente la potencia óptica de salida. Los productos se caracterizan por un alto coeficiente de amplificación, bajo consumo de energía y preservación de la polarización, así como otras características. Son completamente tecnológicos utilizando tecnologías nacionales.
Amiconductor Amplificador óptico SOA 1550 NM 25 dB
Una serie de productos del amplificador óptico de semiconductores de caja Optronics SOA 1550 NM 25 dB se usa principalmente para fortalecer las señales ópticas y puede aumentar significativamente la potencia óptica de salida. Los productos se caracterizan por un alto factor de refuerzo, bajo consumo de energía y preservación de la polarización, así como otras características. Son completamente tecnológicos y se pueden hacer utilizando tecnologías nacionales.
