Producción

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Nuestra planta proporciona láser de bombeo de 980 nm, una fuente de luz de banda ancha ASE y una mariposa de diodo láser. Nuestros productos se venden principalmente en el país y en el extranjero.
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Fuente de luz para probar fibra de modificación única 405–940 nm

Fuente de luz para probar fibra de modificación única 405–940 nm

En este modelo, una fuente de luz para probar una fibra de modificación única de 405–940 nm utiliza un chip de láser semiconductor tipo F-P, y un esquema de control de control y control de temperatura desarrollado profesionalmente proporciona un funcionamiento seguro del láser. El rango completo de longitudes de onda, potencia de salida estable y espectro, fibra de modificación única, excelente calidad del punto de luz (modo LP01). El equipo se distingue mediante una amplia selección de longitudes de onda ajustables, ancho estrecho de la línea espectral, facilidad de operación y alta seguridad. Se puede utilizar ampliamente en áreas como sensores ópticos de fibra, prueba de dispositivos ópticos, detección de semiconductores, visión artificial, etc.
Módulo SOA de un amplificador óptico semiconductor con un alto coeficiente de amplificación de 1560 nm y un factor de amplificación de 30 dB

Módulo SOA de un amplificador óptico semiconductor con un alto coeficiente de amplificación de 1560 nm y un factor de amplificación de 30 dB

El módulo SOA de un amplificador óptico semiconductor con un alto coeficiente de amplificación de 1560 nm y un factor de amplificación de 30 dB se usa principalmente para mejorar la señal óptica y puede aumentar significativamente el poder óptico de salida. Los productos se caracterizan por un alto coeficiente de amplificación, bajo consumo de energía y preservación de la polarización, así como otras características, y están completamente avanzados tecnológicamente utilizando tecnologías nacionales.
Fuente de luz de banda ancha ASE 1030 nm

Fuente de luz de banda ancha ASE 1030 nm

Box Optronics Fuente de luz de banda ancha ASE 1030 Nm se basa en el láser de bombeo de fibra y semiconductores de Itterbiev. El espectro de radiación cubre la longitud de onda de 1030 nm, proporcionando una alta capacidad de salida y un coeficiente de envenenamiento de polarización de hasta 0.2 dB. Se puede usar para probar dispositivos de fibra óptica, producción de rejillas VBR, etc.
808 nm 25 W 62.5 μm de diodo láser de fibra multimodona para una fuente de bombeo

808 nm 25 W 62.5 μm de diodo láser de fibra multimodona para una fuente de bombeo

Como fabricante profesional, Box Optronics le busca proporcionarle láser de alta calidad 808 NM 25 W 62.5 μm de diodo láser de fibra multimódica para la fuente de bombeo, sistemas de procesamiento de materiales, fuentes de bombeo y otras áreas de aplicación. Nuestro producto se caracteriza por alta fortaleza y cumple con los estándares internacionales. Si está interesado en este producto, contáctenos.
Diodo DFB-Laser infrarrojo de 1064 nm con una capacidad de 200 MW con enlaces de fibra

Diodo DFB-Laser infrarrojo de 1064 nm con una capacidad de 200 MW con enlaces de fibra

Box Optronics ofrece un diodo DFB-Laser infrarrojo de 1064 nm de alta calidad con una capacidad de 200 MW con enlaces de fibra en un caso BTF de 14 pines. Estos dispositivos proporcionan una potencia muy estable de hasta 200 MW en modo de radiación continua. Opcionalmente disponibles fibras ópticas de un solo módulo y modificado. Están equipados con carga termoeléctrica construida (estudio de factibilidad) y monitorean fotodiidas. Coeficiente de supresión del mod de lado> 40 dB. A menudo se usan en sistemas de detección óptica y como fuentes de semillas para láseres.
Diodo láser estrecho de 1550 nm 100 mW 100 kHz estrecho con una línea diferente

Diodo láser estrecho de 1550 nm 100 mW 100 kHz estrecho con una línea diferente

Box Optronics ofrece 1550 nm 100 mW 100 kHz un diodo láser estrecho con un dispositivo de línea de variedad en una caja BTF de 14 pines. Estos dispositivos proporcionan una potencia muy estable de hasta 100 MW en modo de radiación continua y ancho de línea<100 кГц. Опционально доступны одномодовые и одномодовые оптоволоконные пигтейлы. Они оснащены встроенными охладителями термоэлектрического конденсатора (ТЭО) и следящими фотодиодами (ФД). Коэффициент подавления боковых мод >40 dB. A menudo se usan en sensores ópticos y comunicación óptica.
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