El módulo de fotodiodo de silicio de 400 nm -1000 nm está hecho de silicio como material principal y tiene un rango de sensibilidad espectral de 400 nm - 1000 nm, realiza principalmente la función de convertir la señal óptica incidente en una señal eléctrica, que alcanza una transformación fotoeléctrica.
1. Introducción al módulo de fotodiodo de silicio de 400 nm-1000 nm
El módulo de fotodiodo de silicio de 400 nm -1000 nm está hecho de silicio como material principal y tiene un rango de sensibilidad espectral de 400 nm - 1000 nm, realiza principalmente la función de convertir la señal óptica incidente en una señal eléctrica, que alcanza una transformación fotoeléctrica. Se utiliza para medir la intensidad de la luz en diferentes longitudes de onda en dispositivos analíticos espectrométricos, para detectar cambios en la iluminación circundante en sensores ópticos y para recibir señales ópticas de ciertas longitudes de onda en sistemas de comunicación óptica. Este es uno de los dispositivos básicos importantes para la implementación de la transformación fotoeléctrica en el campo de la tecnología optoelectrónica.
2. Características del módulo fotológico de silicio de 400 nm-1000 nm
Alta sensibilidad, alta velocidad;
Corriente oscura baja, contenedor bajo;
Estructura de caída plana;
Caso coaxial, soldadura con láser;
Rango de detección de 400 nm -1000 nm;
Corresponde a ROHS y no contiene plomo.
3. Aplicación del módulo de Silicon Photodiodo 400 NM - 1000 NM
Medidor de potencia óptica;
Sensor óptico;
Equipo para detectar luz cósmica.
4. Características ópticas y eléctricas del módulo del fotodiodo de silicio 400 nm-1000 nm
Paraminanza
Símbolo
Estado
Soy.
Tipo.
Max.
Unidad
El rango de longitudes de onda
λ
400
-
1000
Nuevo Méjico
Sensibilidad
Р
λ = 650 nm
-
0.30
-
C.A
λ = 800art
-
0,35
-
λ = 900 nm
-
0,40
-
Área activa
С
-
680*680
um
Corriente oscura
Identificador
Br = 0V
-
-
1.0
en
Capacidad
С
Br = 0V
-
-
5.0
PF
Tiempo de crecimiento/recesión
TR / TF
VR = 0W, 10 ~ 90%
-
-
3.0
Ns
Capacidad de pase
El chb
Ancho de banda 3 dB
-
100
-
MGC
Potencia de saturación
PD
-
2
-
-
MW
Tipo de fibra
-
-
50/125
Recurso
5. Dibujo del empaque y determinación de conclusiones (Unidad de Medición: MM):
6. Día, envío y mantenimiento
Todos los productos se prueban antes de enviar;
Una garantía por un período de 1 año se extiende a todos los productos. (Después del final del período de garantía, se cobra la tarifa de pago de mantenimiento correspondiente).
Valoramos su negocio y ofrecemos una política de reembolso instantáneo dentro de los 7 días (7 días después de recibir los bienes);
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Para devolver dinero o reemplazo, cualquier producto debe ser devuelto en su condición original;
El comprador es responsable de todos los costos de entrega.
7. A menudo las preguntas formuladas
P: ¿Cuáles son las áreas de aplicación y la precisión de la longitud de onda?
R: Box Optronics proporcionará la longitud de onda de la selección VolnycwdmidWDMN.
P: ¿Qué conector óptico necesita?
R: Box Optronics será libre de hacer un conector óptico de acuerdo con los requisitos.
Etiquetas calientes: Módulo de fotodiodo de silicio 400 nm-1000 nm
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