Nuestra planta proporciona láser de bombeo de 980 nm, una fuente de luz de banda ancha ASE y una mariposa de diodo láser. Nuestros productos se venden principalmente en el país y en el extranjero.
1550 nm 8 dB SOA Switch Semiconductor Switch óptico SM Voloconny láser diodo, cubre nuevas áreas en el mercado de interruptores ópticos. La tecnología se basa en la conocida tecnología de láseres de semiconductores y métodos de empaque y ofrece una alternativa económica a las soluciones convencionales de interruptores de fibra. SOA puede trabajar en cualquier longitud de onda en el rango de 1520 a 1650 nm y es muy adecuado para un obturador de bloqueo óptico o modulación con un coeficiente de desvanecimiento de 65 dB. Los dispositivos están empacados en la caja de mariposa, que proporciona alta eficiencia de comunicación, baja sensibilidad a la polarización y alta potencia de saturación de salida. Este SOA se puede utilizar para expandir las líneas de conmutación de telecomunicaciones u ópticas de la velocidad de nanosegundos, proporcionando un aumento en 18-25 dB, sensibilidad a la polarización <2.0 dB y potencia de saturación de 10 dBm. Es posible cambiar las señales de una onda continua (CW) y señales moduladas.
1310 nm 10 dbm SOA Semiconductor Amplificador óptico SM Butterfly está diseñado utilizando un chip de esquina SOA y TEC de alta calidad, que puede proporcionar una salida mejorada estable para una gran señal de entrada dinámica. Los dispositivos están disponibles en la caja estándar de mariposa de 14 pines en los rangos de 1310 nm y 1550 nm. Los dispositivos SOA tienen un alto coeficiente de refuerzo óptico, alta potencia de saturación de saturación, bajas pérdidas dependiendo de la polarización, un coeficiente de ruido bajo y un amplio rango de longitudes de onda. Tenemos opciones para aisladores ópticos para el lado de entrada y/o salida, así como las fibras de salida de las fibras SM, las fibras PM y otras fibras especiales de acuerdo con las especificaciones del cliente. Los productos están certificados por Telcordia GR-468 y cumple con los requisitos de ROHS.
1920 ~ 2020 nm, el amplificador basado en TDFA se puede usar para mejorar las señales del láser del rango de 2 μm en el rango de potencia de -10 dBm a +10 dBm. Una potencia de salida rica puede alcanzar 40 dBm. A menudo se usa para aumentar la potencia de transmisión de las fuentes de luz láser.
1030 ~ 1080 nm YDFA, un amplificador basado en Itterbia genera un aumento aumentado al bombear la fibra itterbiana con un láser semiconductor. La potencia de salida es suavemente ajustable y tiene las ventajas de alta amplificación y bajo ruido. La carcasa de escritorio YDFA es conveniente para el trabajo experimental. Los usuarios pueden ajustar la corriente de bombeo y la potencia de salida usando los botones en el panel. Un YDFA modular más compacto también está disponible para facilitar la integración del sistema de usuario. Tanto el escritorio YDFA como el YDFA modular pueden admitir el control de software de computadora host y el comando de los comandos de puerto secuencial.
El amplificador del amplificador con la fibra Erbiev C+L del rango 1528 ~ 1603 nm puede mejorar simultáneamente las señales ópticas de la banda C y la banda L. La longitud de onda de trabajo cubre 1528 ~ 1563 nm y 1570 ~ 1603 nm. Puede adaptarse a la longitud de onda de la señal de luz y proporcionar una mejora de bajo ruido y altamente efectivo de la potencia óptica.
El amplificador EDFA de alta potencia mientras se mantiene la polarización de la banda L en la fibra Erbiev (EYDFA-HP) se basa en el principio de mejora del láser de la señal óptica en una fibra, dopada con un Erbine, utilizando un diseño de múltiples escenario único en la señal óptica de la amplificación óptica y la tecnología confiable de la disipación de la disipación de alta resistencia a un láser láser. 1570–1605 nm. Debido a su alta potencia y bajo nivel de ruido, se puede usar en comunicación óptica de fibra, lidars, etc.
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